1.产品氮气压力高于8bar时有三种方案：
第一种方案：返流膨胀制氮流程同时配置产品氮压机，膨胀机增压端增压产品氮气或者正流空气，空压机压力取最低返流膨胀压力，产品提取率可达38%左右。
第二种方案：正流膨胀制氮流程同时配置产品氮压机，膨胀机增压端增压产品氮气或者正流空气，最低精馏塔压力4bar，产品提取率可达45%左右，液体量可以生产较大。
第三种方案：返流膨胀流程，膨胀机增压端增压产品氮气或者正流空气，出冷箱直接的产品所需压力，缺点是返流膨胀压力高，造成部分有效能未利用。
2.产品氮气在5到8bar之间时有两种方案：
第一种方案：返流膨胀流程，膨胀机增压端增压产品氮气或者正流空气。
第二种方案：正流膨胀流程，膨胀机增压端增压产品氮气或者正流空气，外加产品氮压机压缩，压力高时这种流程优势大。
3.产品氮气在0到5bar时有四种方案：
第一种方案：返流膨胀流程，膨胀机增压端增压产品氮气或者正流空气，然后节流至所需压力，一般在4到5bar;返流膨胀空气压缩机压力较产品氮气的压力要求高0.8bar。
第二种方案：正流膨胀流程，膨胀机增压端增压产品氮气或者正流空气，产品压力直接获得，一般产品氮气在4bar到5bar。正流膨胀压缩机压力较产品氮气高1.5bar左右，但是其提取率较高，膨胀空气先增压，后膨胀，然后直接放空作为再生气;产品规模大于10000Nm³/h时可以单独设置增压机去增压膨胀空气，膨胀后进塔，这样可以提高产品量。
第三种方案：双塔精馏流程，这种流程将上塔中部的富氧作为废气排放去纯化器做再生气，上塔底部大量富氧作为非产品气抽出，这样可以提高上塔排压，满足产品氮气压力要求，节省氮气产品压缩能耗。这种流程可以获得两种压力的产品氮气分别是0到2bar和5bar左右或者更高。
第四种方案：双塔双冷凝流程，将上塔底部富氧节流后上塔顶部的冷凝头，这样可以获得0到3bar和5到7bar或者更高产品氮气，这种流程产品提取率高，可达60%左右。
4.产品氮气为主氧气为辅有两种方案
第一种方案：挂氧塔返流制氮流程，适宜生产氧气占氮气量10%到20%的氧气产品要求。
第二种方案：双塔流程，通过将污氮抽口及下塔物料进上塔的进料口下移，可以使产品氧气占产品氮气30%到50%左右，但是需要满足纯化系统再生气体需求。
5.高纯氮节能流程有两种方案：
第一种方案：高纯氮返流全膨胀节能流程：采用全膨胀，多余冷量采取在膨胀机后抽一股低温气体与污氮气混合至-20℃左右，然后去铝制板翅式换热器换热，省去冷水机组。
第二种方案：高纯氮正流全膨胀节能流程：采用全膨胀，这样可以降低空压机排气压力，节省能耗，但是膨胀机的叶轮直径会增大，投资相应增多。
6.变压吸附有两种方案：
第一种方案：粗制氮气，纯度达到99.99%，精制氮气，纯度达到99.999%，单套可以做到3000Nm³/h左右，可以多套组合，按照需要停或者开，不需要液体产品。
第二种方案：粗制氮气，纯度达到99.99%，精制氮气，纯度达到99.999%，单套可以做到3000Nm³/h左右，可以多套组合，按照需要停或者开，需要液体产品，采取配套外液化装置，可以自由停车或者开车，优点是节省能耗，缺点是投资大。
7.超高纯氮气
超高纯氮气主要用于电子工业，在集成电路、芯片(晶片)和相关元器件的生产过程中，超高纯氮气与普通氮气相比，对以下条件有严格要求，目前一般要求总杂质含量集成电路要求：4ppm，芯片要求：1ppm或者更高，同时设计电子工业用高纯氮装置时，要重视装置所在大气组成的测定，且设计一定要留有余量。其难点和要点主要是一氧化碳、氢和水分的达标，为此，要采取不同的净除方法：
(1)CO的净除：利用压缩机的压缩热，在触媒的帮助下，通过催化反应，除去一氧化碳，可以使产品中所含CO降低到0.1ppm以下。
(2)CO2的净除：通过分子筛床层吸附。
(3)氢气等低沸点组分的净除：氢气，氦氖气都是沸点比氮气低的组分，在一氧化碳转化炉中，空气中的氢气生成水，然后从冷凝蒸发器排出不凝气体，放空以使低沸点组分除去，但是其纯度仍然不够，仍需要通过特殊流程组织比如采用加设纯氮精馏辅塔，在液氮顶部设置冷凝器，底部设置再沸器，增大循环倍率来除去低沸点的氢气等杂质。
(4)甲烷等高沸点组分的净除：甲烷等烃类气体以及氪氙等稀有气体的沸点比氮气高得多，它们会全部浓缩到塔底的富氧液空中，达标没有问题。
(5)水分的净除：通过分子筛床层吸附，同时水分有最高的沸点，达到要求没问题。
(6)颗粒度：通过精密过滤器来满足。
超高纯制氮装置可以通过使用一氧化碳转炉及特殊的冷箱流程设计，完全可以达到或者超过标准要求，方案有两个：
第一种方案：常规制氮装置，加氮气终端净化器获得，但是投资需增加30%左右。
第二种方案：在制氮流程中采用一氧化碳转化炉，配置氮气精馏辅塔，使氢气等杂质作为废气放空，这样便可除去低沸点的氢气，制取得到超高纯氮气。
